反應(yīng)離子蝕刻機(jī)的技術(shù)指標(biāo)：

       在射頻電源的驅(qū)動(dòng)下，反應(yīng)離子蝕刻機(jī)在上下電極之間形成電壓差，產(chǎn)生光放電，通過(guò)電離產(chǎn)生等離子體游離基和蝕刻材料，產(chǎn)生氣流（真空系統(tǒng)）帶走的揮發(fā)性化合物。

反應(yīng)離子蝕刻機(jī)設(shè)備：

       典型的（平行板）RIE系統(tǒng)包括位于房間底部的圓柱形真空室。晶片板與腔室其他部分電氣隔離。氣體通過(guò)腔室頂部的小入口進(jìn)入，真空泵系統(tǒng)通過(guò)底部離開(kāi)。使用的氣體類(lèi)型和數(shù)量取決于蝕刻過(guò)程；例如，六氟化硫通常用于蝕刻硅。通過(guò)調(diào)節(jié)氣流和/或排氣孔，氣壓通常保持在幾毫托和幾百毫托之間。

       還有其他類(lèi)型的RIE系統(tǒng)，包括電感耦合等離子體(ICP)RIE。在這個(gè)系統(tǒng)中，等離子體是由RF電源的磁場(chǎng)產(chǎn)生的。雖然蝕刻輪廓傾向于更多的向同性，但等離子體密度非常高。

       平行板和電感耦合等離子體RIE的組合是可能的。在該系統(tǒng)中，ICP被用作提高蝕刻率的高密度離子源，并將單獨(dú)的RF偏向電場(chǎng)，以實(shí)現(xiàn)更多的異性蝕刻輪廓。

       以上是小編今日為大家介紹的反應(yīng)離子蝕刻機(jī)的全部?jī)?nèi)容，感謝您耐心的閱讀！